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Si8417DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10
1
0.05
0.04
I D = 1 A
0.1
0.01
0.001
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.03
0.02
0.01
T A = 25 °C
T A = 125 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
60
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
I D(on) limited
10
1
0.1
Limited by R DS(on) *
T A = 25 °C
IDM limited
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
Single Pulse
0.01
BVDSS limited
0.001
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73531
S11-1382-Rev. D, 11-Jul-11
www.vishay.com
5
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